場效電晶體

(2)電壓控制:場效電晶體利用輸入電壓(閘源極電壓V g s)控制空乏區大小 控制通道大小 控制汲極電流( ..... 詳解:FET是屬於單載子元件,而BJT是屬於雙載子元件。

金屬氧化物半導體場效電晶體- 维基百科,自由的百科全书

金屬氧化物半導體場效電晶體(簡稱:金氧半場效電晶體;英语:Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,縮寫:MOSFET),是一種可以廣泛使用在模拟電路與数字電路的場效電晶體。 ... 金氧半場效電晶體在概念上屬於絕緣閘極場效電晶體(Insulated-Gate Field Effect Transistor, IGFET)。而絕緣閘極場效電晶體的閘極絕緣 ...