接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET)
應用電子學7-45中興物理孫允武. 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET). 源極. (Source). 汲極(Drain). 閘極. (Gate)1 n p+. 空乏區. 閘極(Gate)2 p+.
應用電子學7-45中興物理孫允武. 接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor, JFET). 源極. (Source). 汲極(Drain). 閘極. (Gate)1 n p+. 空乏區. 閘極(Gate)2 p+.
結型場效應管(JFET,從英語junction-fet或者NIGFET,從英語non-insulated-gate-fet縮寫而成)是單極場效應管中最簡單的一種。它可以分n溝道或者p溝道兩種。
電晶體種類. 依工作原理可粗分為雙極(載體)接面電晶體(bipolar junction transistor,. BJT)和場效電晶體(field effect transistor, FET)。 BJT. 利用兩個很接近的pn接 ...
2009年4月11日 - 以我的認知 1.對 2.Vds對閘極沒有所謂順偏逆偏. Vds只是電子流的原理產生電流而已並無所謂的順逆偏 3.夾止區亦只定電流區意思是ID不隨VDS ...
場效電晶體(FET) 與雙極性接面電晶體(BJT) 類似,且皆為一種三端子裝置。 BJT 與FET 主要差異:. •BJT 為電流控制裝置( IC =βIB );FET 為電壓控制裝置(ID 為VGS ...
2016年5月13日 - 8-1 場效電晶體的種類. 8-2 接面場效電晶體(JFET)之構造及特性. 8-3 JFET之直流偏壓. 8-4 金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET). 之構造及特性.
場效電晶體(FET)和雙極性接面電晶體. (BJT),都具有受控電源流特性和受控開關特. 性,但不同的是,BJT是藉由基射端電壓Vbe,改. 變Ib、Ie大小,進而控制輸出 ...
接面場效電晶體( Junction FET ,JFET )。 2.金屬氧化物半導體場效電晶體或金氧半場效電晶體( Metal Oxygen Semiconductor FET,MOSFET )。 MOSFET依其通道 ...
第八章電子學. §8-4:場效電晶體P15. 3. 接面場效應電晶體的輸出特性曲線:. ◎ 若閘極與源極間的逆向偏壓(VGS)較小時,則半導體的空乏區無法占滿整個通道:.