製程蝕刻 – 台灣公司行號

Chap9 蝕刻(Etching)

利用薄膜和特定溶液間所進行的. 化學反應，來去除未被光阻覆蓋. 的薄膜. ◇ 優點：製程簡單、產量速度快、. 屬等向性蝕刻. ◇ 濕式蝕刻的化學反應屬於液相及. 固相的 ...

glass」。因為用在此過程中的酸劑很危險，現在大多是使. 用研磨的方法。到了近代，現在的蝕刻應用在半導體的. 製程上，透過黃光製程來定義出想要的圖形，利用蝕刻.

「乾式」(電漿) 蝕刻是用於電路清晰度步驟，而「濕式」蝕刻(使用化學浴) 主要用於清潔晶圓。乾式蝕刻是半導體製造中最常用的製程之一。開始蝕刻前，晶圓上會塗上 ...

2017年12月8日 - 蝕刻蝕刻的作用：線路成型。蝕刻分為干蝕刻與濕蝕刻，其區別如下：干蝕刻：利用不易被物理、化學作用破壞的物質光阻來阻擋不欲去除的部分，利用 ...

移除晶圓表面的材料. ▫ 化學蝕刻, 物理蝕刻或是兩者的組合. ▫ 選擇性蝕刻或是整面全區蝕刻. ▫ 選擇性蝕刻是將光阻上的IC設計圖案轉移到晶圓表面. ▫ 其他的應用: ...

蝕刻是指以酸性、腐蝕性或有研磨效用的物質在玻璃表面上創作的技術。 ... 到了近代，現在的蝕刻應用在半導體的製程上，透過黃光製程來定義出想要的圖形，利用 ...

沒有這個頁面的資訊。瞭解原因

半導體各種產品即依上述基本原理，就不同工業需求使用矽晶圓、光阻劑、顯影液、酸蝕刻液及多種特殊氣體為製程申的原料或添加物等，以完成複雜的積體電路製作。

蝕刻(Etching). ▫. 表面物質去除化的製程: 化學蝕刻、物理蝕刻、複合蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻或整面全區蝕刻. ▫. 選擇性蝕刻將IC光阻上的設計圖形轉移至晶圓表面層. ▫.

蝕刻製程乃是將經過微. 影製程在表面定義出IC. 電路圖案的晶圓，以. 化學腐蝕反應的方式，. 或物理撞擊的方式，或. 上述兩種方式的合成效. 果，去除部份材質，留.