3D 電晶體你真的懂嗎?完全看懂多閘極電晶體的奧祕| T客邦
2015年4月7日 - 近年來半導體業最大的新聞,莫過於各家廠商都推出了3D電晶體,一掃過去深度奈米製程毫無進展的陰天心情。原本卡在半空中很久的30奈米以下 ...
2015年4月7日 - 近年來半導體業最大的新聞,莫過於各家廠商都推出了3D電晶體,一掃過去深度奈米製程毫無進展的陰天心情。原本卡在半空中很久的30奈米以下 ...
多閘極電晶體(英語:Mulitgate Device)是指集合了多個閘極於一體的金屬氧化物半導體場效電晶體(MOSFET)。它可以用一個電極來同時控制多个閘極,亦可用多個 ...
跳到 閘極電壓對電流的影響 - FET通過影響導電通道的尺寸和形狀,控制從源到漏的電子流(或者電洞流)。通道是由(是否)加在閘極和源極的電壓而創造和影響 ...
2016年11月1日 - JFET 是一種類似三明治的場效應電晶體,它在接面處沒有使用氧化物隔開閘極,音響迷一定不陌生, JFET的推動力大,線性高對高頻反應又不良,是 ...
2015年9月15日 - MOS 的全名是「金屬-氧化物-半導體場效電晶體(Metal Oxide .... 簡而言之,鰭式場效電晶體是閘極長度縮小到20 奈米以下的關鍵,擁有這個技術 ...
雙閘極電晶體(Double Gate Transistor). 等,這些元件各具特徵及優缺點,本文即. 針對相關結構之元件作一介紹。 SOI CMOS. SOI (Silicon on Insulator)是指矽材料.
2018年1月5日 - 一般在不變動材料的前提下,電晶體可更動的參數就是電晶體閘極的長與寬,在電場一樣的情況下,閘極越寬,通道越長,源漏電流就越小。但是長 ...
電洞流. 電流方向. 源極. S. 汲極. D. 閘極. G. 電子通道. 電子流. 電流方向 p通道FET n通道 ... 我們主要介紹的FET有接面場效電晶體(Junction Field Effect Transistor,.
2017年6月22日 - IGBT為雙極性電晶體和MOSFET的複合式結構,是為了利用MOSFET和雙極性電晶體的長處所開發的電晶體,兼具與MOSFET同様以閘極電壓控制 ...
【課程名稱】, 3D多閘極電晶體技術與可靠度. 【課程代碼】, 07S322. 【上課時間】, 107/10/06(六),AM 09:00~PM 17:00,共1天6小時。 【課程目標】, 1.使學員瞭解MOSFET ...